我们知道下一代DDR5内存将很快。它能获得多快取决于多种因素。目前，许多公司正在这方面进行工作，昨天，IT Home上发布了一份报告，其中称一家名为“朗科科技”的中国存储公司正在计划制造能够运行在10,000MHz以上的DDR5 DRAM模块。尽管尚未得到证实，但实际消息应该意味着朗科的新内存每秒可以超过10,000MT / s。
据称，该公司目前正在使用美光的IFA45 Z9ZSB内存芯片，该内存芯片从16GB(2Gx8)模块开始。这些芯片建立在美光的1z nm DRAM工艺节点上，并运行40-40-40个子定时。去年，美光表示，它的DDR5内存可以达到6400MT / s的速度，而10,000肯定比这个数字高得多。
朗科并不是唯一一家在即将推出令人难以置信的令人兴奋的DDR5产品方面成为新闻的公司。三星最近宣布，它正在构建世界上第一个512GB DDR5模块，尽管它的速度不如朗科的解决方案快，最高可达7,200MT / s。512GB模块被设计用于服务器等高性能企业环境，但是我们希望朗科的10,000MHz套件主要是游戏部件。
